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> NTHD4P02FT1G MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
型号:
NTHD4P02FT1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
NTHD4P02FT1G PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
155 毫欧 @ 2.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
300pF @ 10V
功率 - 最大
1.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NTHD4P02FT1GOSCT
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